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参数资料
| 型号： | IS41LV16256-60K |
| 英文描述： | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K × 16（4兆位）的动态与江户页面模式内存 |
| 文件页数： | 11/20页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41LV16256-60K |
IS41C16256
IS41LV16256
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
11
EARLY WRITE CYCLE
(
OE
= DON'T CARE)
t
RAS
t
RC
t
RP
t
AR
t
CAH
t
ACH
t
ASC
t
RAD
t
RAH
t
RAL
I/O
WE
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Column
Row
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
CRP
t
CLCH
t
RCD
t
ASR
t
CWL
t
RWL
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
DH
t
DS
t
DHR
Valid Data
Don’t Care
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS41LV16256-60T | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-25K | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-25KI | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-25T | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-25TI | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS41LV16256-60KI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV16256-60T | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV16256-60TI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV16256B | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV16256B-35K | 功能描述:动态随机存取存储器 4M 256Kx16 35ns RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
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