- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360984 > IS42S16800A-7TLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IS42S16800A-7TLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 18/66页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IS42S16800A-7TLI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页当前第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页
ISSI
18
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
V
DDQ
+4.6
V
IN
V
OUT
P
D
MAX
I
CS
T
OPR
Maximum Supply Voltage
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
V
Input Voltage
Output Voltage
Allowable Power Dissipation
Output Shorted Current
Operating Temperature
–0.5 to +3.6
–0.5 to +4.6
–0.5 to +3.6
V
MAX
–0.5 to
–0.5 to +3.6
–0.5 to +3.6
1
50
0 to +70
–40 to +85
–55 to +125
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
1
50
0 to +70
–40 to +85
–55 to +125
V
V
W
mA
°C
Com.
Ind.
T
STG
Storage Temperature
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(2)
(
At T
A
= 0 to +70°C)
42LSxxxxxx
Typ.
42Sxxxxxx
Typ.
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
V
DD
V
DDQ
V
IH
(1)
V
IL
(2)
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
2.3
1.65
2.5
2.0
—
—
2.7
2.5
3.0
3.0
2.0
-0.3
3.3
3.3
—
—
3.6
3.6
V
V
V
V
0.8xV
DDQ
-0.3
V
DDQ
+ 0.3
+0.3
V
DDQ
+ 0.3
+0.8
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(1,2)
(At T
A
= 0 to +25°C, Vdd = Vdd
Q
= 3.3 ± 0.3V, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
C
IN1
C
IN2
CI/O
Input Capacitance: A0-A11, BA0, BA1
Input Capacitance: (CLK, CKE,
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, LDQM, UDQM)
Data Input/Output Capacitance: I/O0-I/O15
—
—
—
3.5
3.8
6.5
pF
pF
p
ss.
Note:
1. V
IH
(max) = V
DDQ
+1.5V (
PULSE
WIDTH
< 5
NS
).
2. V
IL
(min) = -1.5V (
PULSE
WIDTH
< 5
NS
).
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. All voltages are referenced to Vss.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-6T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-6TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS42S16800A-7TL-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S16800A-7T-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S16800B | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B-6T | 功能描述:动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
| IS42S16800B-6TL | 功能描述:动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。