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参数资料
| 型号： | IS42S32400A-10TI |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16Meg × 8，8Meg x16 |
| 文件页数： | 10/66页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IS42S32400A-10TI |
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ISSI
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
The extended mode register has four fields:
Options: A11-A7
Drive Strength: A6-A5
Temperature Compensated self Refresh: A4-A3
Partial Array Self Refresh: A2-A0
Following extended mode register programming, no com-
mand can be issued before at least 2 CLK have elapsed.
ACTIVE COMMAND
When the ACTIVE COMMAND is activated, BA0, BA1
inputs selects a bank to be accessed, and the address
inputs on A0-A11 selects the row. Until a PRECHARGE
command is issued to the bank, the row remains open for
accesses.
GENERAL DESCRIPTION Continued:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42LS81600A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42LS81600A-10TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42LS81600A-7T | RES 23.2K-OHM 1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA |
| IS42LS81600A-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS42S32400A-10TL | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-10TLI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-6T | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-6TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S32400A-6T-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II T/R |
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