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参数资料
| 型号： | IS42S32400A-10TLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO86 |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件页数： | 5/66页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IS42S32400A-10TLI |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
5
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
PIN CONFIGURATIONS
54 pin TSOP - Type II for x16
PIN DESCRIPTIONS
A0-A11
Row Address Input
A0-A8, A10
Column Address Input
BA0, BA1
Bank Select Address
I/O0 to I/O15
Data I/O
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
V
DD
I/O0
V
DD
Q
I/O1
I/O2
V
SS
Q
I/O3
I/O4
V
DD
Q
I/O5
I/O6
V
SS
Q
I/O7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
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15
16
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27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
I/O15
V
SS
Q
I/O14
I/O13
V
DD
Q
I/O12
I/O11
V
SS
Q
I/O10
I/O9
V
DD
Q
I/O8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
WE
Write Enable
LDQM
x16 Lower Bye, Input/Output Mask
UDQM
x16 Upper Bye, Input/Output Mask
V
DD
Power
Vss
Ground
V
DDQ
Power Supply for I/O Pin
Vss
Q
Ground for I/O Pin
NC
No Connection
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16800A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-6T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-6TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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