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参数资料
| 型号： | IS61C512-35T |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 448K |
| 代理商： | IS61C512-35T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61C512-35TI | x8 SRAM |
| IS61C61 | |
| IS61C62 | |
| IS61C632-10PQ | x32 Fast Synchronous SRAM |
| IS61C632-10TQ | x32 Fast Synchronous SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61C512-35TI | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C5128AL | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C5128AL-10KI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C5128AL-10KLI | 功能描述:静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61C5128AL-10KLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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