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参数资料
| 型号： | IS61C67-25N |
| 厂商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K的× 1高速CMOS静态RAM |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | IS61C67-25N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61C67-L15N | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C67-L20N | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C67-L25N | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61DDB21M36-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB22M18 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61C67-L15N | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C67-L20N | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C67-L25N | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C81 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| IS61D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor Inductive NPN NO |
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