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参数资料
| 型号： | IS61LPD25636A-200TQ2I |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 27/32页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | IS61LPD25636A-200TQ2I |
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4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
12/13/06
IS61VPD25636A, IS61VPD51218A, IS61LPD25636A, IS61LPD51218A
ISSI
119 BGA PACKAGE PIN CONFIGURATION-256K X 36 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
123456
7
A
VDDQ
AA
ADSP
AA
VDDQ
B
NC
CE2
A
ADSC
A
NC
C
NC
A
VDD
A
NC
D
DQc
DQPc
Vss
NC
Vss
DQPb
DQb
E
DQc
Vss
CE
Vss
DQb
F
VDDQ
DQc
Vss
OE
Vss
DQb
VDDQ
G
DQc
BWc
ADV
BWb
DQb
H
DQc
Vss
GW
Vss
DQb
J
VDDQ
VDD
NC
VDD
NC
VDD
VDDQ
K
DQd
Vss
CLK
Vss
DQa
L
DQd
BWd
NC
BWa
DQa
M
VDDQ
DQd
Vss
BWE
Vss
DQa
VDDQ
N
DQd
Vss
A1*
Vss
DQa
P
DQd
DQPd
Vss
A0*
Vss
DQPa
DQa
R
NC
A
MODE
VDD
NC
A
NC
T
NC
A
NC
ZZ
U
VDDQ
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
VDDQ
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
Synchronous Burst Address Inputs
ADV
Synchronous Burst Address
Advance
ADSP
Address Status Processor
ADSC
Address Status Controller
GW
Global Write Enable
CLK
Synchronous Clock
CE, CE2
Synchronous Chip Select
BWx (x=a-d) Synchronous Byte Write Controls
BWE
Byte Write Enable
Symbol
Pin Name
OE
Output Enable
ZZ
Power Sleep Mode
MODE
Burst Sequence Selection
TCK, TDO
JTAG Pins
TMS, TDI
NC
No Connect
DQa-DQd
Data Inputs/Outputs
DQPa-Pd
Output Power Supply
VDD
Power Supply
VDDQ
Output Power Supply
Vss
Ground
Note: * A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-250B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200B3 | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200B3I | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200TQI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD25636A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD25636A-250B2 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-250B2I | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
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