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参数资料
| 型号： | IS61LPD51236A-200TQI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 15/29页 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | IS61LPD51236A-200TQI |
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22
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
TaP Electrical Characteristics OvertheOperatingRange(1,2)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Units
VOh1
OutputHIGHVoltage
IOh=–2.0mA
1.7
—
V
VOh2
OutputHIGHVoltage
IOh=–100A
2.1
—
V
VOl1
OutputLOWVoltage
IOl=2.0mA
—
0.7
V
VOl2
OutputLOWVoltage
IOl=100A
—
0.2
V
VIh
InputHIGHVoltage
1.7
Vdd+0.3V
VIl
InputLOWVoltage
–0.3
0.7
V
Ix
Input Load Current
Vss≤VI≤Vddq
–5
5
mA
Notes:
1. AllVoltagereferencedtoGround.
2. Overshoot:VIh (AC) ≤Vdd+1.5Vfort
≤ tTcyc/2,
Undershoot:VIl (AC)
≤0.5Vfort≤ tTcyc/2,
Power-up:VIh<2.6VandVdd<2.4VandVddq<1.4Vfort<200ms.
TaP aC ElECTRICal CHaRaCTERISTICS(1,2) (OVER OPERaTING RaNGE)
Symbol Parameter
Min.
Max.
Unit
tTcyc
TCKClockcycletime
100
—
ns
fTf
TCKClockfrequency
—
10
MHz
tTh
TCKClockHIGH
40—
ns
tTl
TCKClockLOW
40
—
ns
tTMss
TMSsetuptoTCKClockRise
10
—
ns
tTdIs
TDIsetuptoTCKClockRise
10
—
ns
tcs
CapturesetuptoTCKRise
10
—
ns
tTMsh
TMSholdafterTCKClockRise
10
—
ns
tTdIh
TDIHoldafterClockRise
10
—
ns
tch
Capture hold after Clock Rise
10
—
ns
tTdOV
TCKLOWtoTDOvalid
—
20
ns
tTdOx
TCKLOWtoTDOinvalid
0
—
ns
Notes:
1. Both tcs and tch refer to the set-up and hold time latching data requirements from the boundary scan register.
2. Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. tr/tf = 1 ns.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-200TQLI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250B3 | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250B3I | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250TQ | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250TQI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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