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参数资料
| 型号： | IS61LPD51236A-200TQLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
| 封装： | LEAD FREE, TQFP-100 |
| 文件页数： | 2/29页 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | IS61LPD51236A-200TQLI |
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10
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
INTERlEaVED BURST aDDRESS TaBlE (MODE = VDD or No Connect)
External address
1st Burst address
2nd Burst address
3rd Burst address
a1 a0
00
01
10
11
01
00
11
10
11
00
01
11
10
01
00
lINEaR BURST aDDRESS TaBlE (MODE = VSS)
0,0
1,0
0,1
A1', A0' = 1,1
aBSOlUTE MaXIMUM RaTINGS(1)
Symbol Parameter
Value
Unit
TsTg
StorageTemperature
–55to+150
°C
Pd
PowerDissipation
1.6
W
IOuT
OutputCurrent(perI/O)
100
mA
VIN, VOuT VoltageRelativetoVssforI/OPins
–0.5toVddq + 0.5
V
VIN
VoltageRelativetoVssfor
–0.5toVdd + 0.5
V
for Address and Control Inputs
Vdd
VoltageonVddSupplyRelativetoVss
–0.5to4.6
V
Notes:
1.StressgreaterthanthoselistedunderABSOLUTEMAXIMUMRATINGSmaycauseperma-
nentdamagetothedevice.Thisisastressratingonlyandfunctionaloperationofthedevice
at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this
specificationisnotimplied.Exposuretoabsolutemaximumratingconditionsforextended
periods may affect reliability.
2.Thisdevicecontainscircuitytoprotecttheinputsagainstdamageduetohighstaticvoltages
orelectricfields;however,precautionsmaybetakentoavoidapplicationofanyvoltage
higherthanmaximumratedvoltagestothishigh-impedancecircuit.
3.ThisdevicecontainscircuitrythatwillensuretheoutputdevicesareinHigh-Zatpowerup.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-250B3 | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250B3I | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250TQ | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250TQI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3LI | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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