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参数资料
| 型号： | IS61LPD51236A-250B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 4/29页 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | IS61LPD51236A-250B3 |
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12
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
CaPaCITaNCE(1,2)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
cIN
Input Capacitance
VIN = 0V
6
pF
cOuT
Input/OutputCapacitance
VOuT = 0V
8
pF
Notes:
1.Testedinitiallyandafteranydesignorprocesschangesthatmayaffecttheseparameters.
2. Testconditions:TA = 25°c, f=1MHz,Vdd=3.3V.
3.3V I/O aC TEST CONDITIONS
Parameter
Unit
InputPulseLevel
0Vto3.0V
InputRiseandFallTimes
1.5ns
InputandOutputTiming
1.5V
and Reference Level
OutputLoad
SeeFigures1and2
aC TEST lOaDS
Figure 2
317
5 pF
Including
jig and
scope
351
OUTPUT
3.3V
Figure 1
Output
Buffer
ZO = 50
1.5V
50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-250B3I | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250TQ | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250TQI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS102418A | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-250B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3LI | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3LI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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