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参数资料
| 型号： | IS61LPD51236A-250B3I |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 6/29页 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | IS61LPD51236A-250B3I |
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14
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
REaD/WRITE CYClE SWITCHING CHaRaCTERISTICS (OverOperatingRange)
-250
-200
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
fMAx
ClockFrequency
—
250
—
200
MHz
tkc
CycleTime
4.0
—
5
—
ns
tkh
ClockHighTime
1.7
—
2
—
ns
tkl
ClockLowTime
1.7
—
2
—
ns
tkq
ClockAccessTime
—
2.6
—
3.1
ns
tkqx(2)
ClockHightoOutputInvalid
0.8
—
1.5
—
ns
tkqlZ(2,3) ClockHightoOutputLow-Z
0.8
—
1
—
ns
tkqhZ(2,3) ClockHightoOutputHigh-Z
—
2.6
—
3.0
ns
tOEq
OutputEnabletoOutputValid
—
2.6
—
3.1
ns
tOElZ(2,3) OutputEnabletoOutputLow-Z
0
—
0
—
ns
tOEhZ(2,3) OutputDisabletoOutputHigh-Z
—
2.6
—
3.0
ns
tAs
AddressSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tWs
Read/WriteSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tcEs
ChipEnableSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tAVs
AddressAdvanceSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tds
DataSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tAh
AddressHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
tWh
WriteHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
tcEh
ChipEnableHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
tAVh
AddressAdvanceHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
tdh
DataHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
tPds
ZZHightoPowerDown
—
2
—
2
cyc
tPus
ZZLowtoPowerDown
—
2
—
2
cyc
Note:
1.ConfigurationsignalMODEisstaticandmustnotchangeduringnormaloperation.
2.Guaranteedbutnot100%tested.Thisparameterisperiodicallysampled.
3. TestedwithloadinFigure2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-250TQ | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250TQI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS102418A | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS12832A-200B2I | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-250B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3LI | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3LI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-250TQ | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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