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参数资料
| 型号： | IS61LPD51236A-250TQ |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 2.6 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 3/29页 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | IS61LPD51236A-250TQ |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
11
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
OPERaTING RaNGE (IS61lPDXXXXX)
Range
ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
3.3V+5%
3.3/2.5V+5%
Industrial
–40°Cto+85°C
3.3V+5%
3.3/2.5V+5%
OPERaTING RaNGE (IS61VPDXXXXX)
Range
ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
2.5V+5%
Industrial
–40°Cto+85°C
2.5V+5%
DC ElECTRICal CHaRaCTERISTICS (OverOperatingRange)
3.3V
2.5V
Symbol Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
VOh
OutputHIGHVoltage
IOh = –4.0mA(3.3V)
2.4
—
2.0
—
V
IOh = –1.0mA(2.5V)
VOl
OutputLOWVoltage
IOl = 8.0mA(3.3V)
—
0.4
—
0.4
V
IOl = 1.0mA(2.5V)
VIh
InputHIGHVoltage
2.0
Vdd +0.3
1.7
Vdd + 0.3
V
VIl
InputLOWVoltage
-0.3
0.8
-0.3
0.7
V
IlI
InputLeakageCurrent
Vss≤ VIN ≤ Vdd(1)
-5
5
-5
5
A
IlO
OutputLeakageCurrent Vss≤ VOuT ≤ Vddq,
-5
5
-5
5
A
OE
= VIh
POWER SUPPlY CHaRaCTERISTICS(1) (OverOperatingRange)
-250
-200
MaX
Symbol Parameter
Test Conditions
Temp. range x18
x36
x18
x36
Unit
Icc
ACOperating
DeviceSelected,
Com.
450
425
mA
Supply Current
OE
= VIh, ZZ ≤ VIl,
Ind.
500
475
All Inputs ≤ 0.2V or ≥ Vdd – 0.2V,
CycleTime≥ tkc min.
Isb
StandbyCurrent
DeviceDeselected,
Com.
150
mA
TTLInput
Vdd = Max.,
Ind.
150
All Inputs ≤ VIl or ≥ VIh,
ZZ ≤ VIl, f=Max.
IsbI
StandbyCurrent
DeviceDeselected,
Com.
110
mA
cMOs Input
Vdd = Max.,
Ind.
125
VIN ≤Vss +0.2Vor≥Vdd –0.2V
f=0
Isb2
SleepMode
ZZ>VIh
Com.
60
mA
Ind.
75
Note:
1. MODEpinhasaninternalpullupandshouldbetiedtoVddorVss.Itexhibits±100Amaximumleakagecurrentwhentiedto≤
Vss+0.2Vor≥Vdd–0.2V.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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