型号: | IS61LV25616-8TI |
厂商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分类: | DRAM |
英文描述: | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
中文描述: | 256K X 16 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO44 |
封装: | TSOP2-44 |
文件页数: | 4/10页 |
文件大小: | 461K |
代理商: | IS61LV25616-8TI |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IS61LV25616-10B | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
IS61LV25616-10BI | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
IS61LV25616-10K | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
IS61LV25616-10KI | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
IS61LV25616-10LQ | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IS61LV25616AL | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
IS61LV25616AL-10B | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
IS61LV25616AL-10BI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61LV25616AL-10BI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61LV25616AL-10BLI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |