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参数资料
型号： IS61LV25616AL-12K
厂商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类： DRAM
英文描述： 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44
封装： 0.400 INCH, SOJ-44
文件页数： 9/10页
文件大小： 461K
代理商： IS61LV25616AL-12K
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相关PDF资料
PDF描述
IS61LV25616AL-12KI 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616AL-12T 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616AL-12TI 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV5128 512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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参数描述
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IS61LV25616AL-12T 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616AL12TI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: 制造商:ISSIIN 功能描述:
IS61LV25616AL-12TI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 12ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LV25616AL-12TI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 12ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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