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参数资料
| 型号： | IS61LV25616AL |
| 厂商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 900V N-Channel MOSFET; ; No of Pins: 3; Container: Rail |
| 中文描述： | 256K × 16高速异步的CMOS静态RAM为3.3V电源 |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 461K |
| 代理商： | IS61LV25616AL |
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A0-A17
CE
OE
WE
UB
LB
256K x 16
MEMORY ARRAY
DECODER
COLUMN I/O
CONTROL
CIRCUIT
GND
VCC
I/O
DATA
CIRCUIT
I/O0-I/O7
Lower Byte
I/O8-I/O15
Upper Byte
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV25616-8T | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616-8TI | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616-10B | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616-10BI | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616-10K | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LV25616AL-10B | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV25616AL-10BI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LV25616AL-10BLI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LV25616AL-10BLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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