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参数资料
| 型号： | IS61SP6464-8PQI |
| 英文描述： | x64 Fast Synchronous SRAM |
| 中文描述： | X64的快速同步SRAM |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | IS61SP6464-8PQI |
IS61SF25616
IS61SF25618
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
04/17/01
7
OPERATING RANGE
Range
Commercial
Ambient Temperature
0
°
C to +70
°
C
V
CC
3.3V
+10%,
–
5%
3.3V
+10%,
–
5%
Industrial
–
40
°
C to +85
°
C
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
V
OH
Output HIGH Voltage
I
OH
=
–
4.0 mA
2.4
—
V
V
OL
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
—
0.4
V
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
V
CC
+ 0.3
V
V
IL
Input LOW Voltage
–
0.3
0.8
V
I
LI
Input Leakage Current
GND
≤
V
IN
≤
V
CCQ
(2)
Com.
Ind.
–
2
–
5
2
5
μA
I
LO
Output Leakage Current
GND
≤
V
OUT
≤
V
CCQ
,
OE
= V
IH
Com.
–
2
–
5
2
5
μA
Ind.
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
8
8.5
Max.
10
12
Symbol
Parameter
Test Conditions
Max.
Max.
Max.
Unit
I
CC
AC Operating
Supply Current
Device Selected,
All Inputs = V
IL
or V
IH
OE
= V
IH
, Vcc = Max.
Cycle Time
≥
t
KC
min.
Com.
Ind.
180
—
170
180
160
170
150
160
mA
I
SB
Standby Current
Device Deselected,
V
CC
= Max.,
All Inputs = V
IH
or V
IL
CLK Cycle Time
≥
t
KC
min.
Com.
Ind.
50
—
50
60
50
60
50
60
mA
I
ZZ
Power-down
Mode Current
ZZ = V
CCQ
Clock Running
All Inputs
≤
GND + 0.2V
or
≥
Vcc
–
0.2V
Com.
Ind.
10
—
10
15
10
15
10
15
mA
Notes:
1. The MODE pin has an internal pullup. This pin may be a No Connect, tied to GND, or tied to V
CC
.
2. The MODE pin should be tied to Vcc or GND. It exhibits ±10 μA maximum leakage current when tied to
≤
GND + 0.2V
or
≥
Vcc
–
0.2V.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IS61VF102418A-6.5TQ | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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