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参数资料
| 型号： | IS62LV256-70NI |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | IS62LV256-70NI |
IS62LV25616LL
ISSI
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
05/04/01
WRITE CYCLE NO. 2 (WE Controlled: OE is HIGH During Write Cycle)
DATA UNDEFINED
LOW
t WC
VALID ADDRESS
t PWE1
t AW
t HA
HIGH-Z
t PBW
t HD
t SA
t HZWE
ADDRESS
CE
UB, LB
WE
DOUT
DIN
OE
DATAIN VALID
t LZWE
t SD
UB_CSWR2.eps
WRITE CYCLE NO. 3 (WE Controlled: OE is LOW During Write Cycle)
DATA UNDEFINED
t WC
VALID ADDRESS
LOW
t PWE2
t AW
t HA
HIGH-Z
t PBW
t HD
t SA
t HZWE
ADDRESS
CE
UB, LB
WE
DOUT
DIN
OE
DATAIN VALID
t LZWE
t SD
UB_CSWR3.eps
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62LV5128L-10B | x8 SRAM |
| IS62LV5128L-10BI | x8 SRAM |
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| IS62LV5128L-70BI | x8 SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS62LV256-70RT | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM |
| IS62LV256-70RTI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM |
| IS62LV256-70T | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32Kx8 70ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62LV256-70TI | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32Kx8 70ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62LV256-70TI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32Kx8 70ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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