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参数资料
| 型号： | ISL2110AR4Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 12-DFN |
| 标准包装： | 75 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 38ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 8 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 12-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 12-DFN-EP（4x4） |
| 包装： | 管件 |
ISL2110, ISL2111
Typical Performance Curves
(Continued)
10.0
T = -40°C
T = +150°C
10.0
T = +150°C
1.0
T = +25°C
1.0
T = -40°C
T = +25°C
0.1
T = +125°C
0.1
T = +125°C
0.01
10k
100k
1 . 10 3 k
0.01
10k
100k
1 . 10 3 k
FREQUENCY (Hz)
FIGURE 7. I HB OPERATING CURRENT vs FREQUENCY
300
FREQUENCY (Hz)
FIGURE 8. I HBS OPERATING CURRENT vs FREQUENCY
200
250
200
150
V DD = V HB = 14V
150
V DD = V HB = 14V
100
50
-50
V DD = V HB = 12V
0 50
V DD = V HB = 8V
100
150
100
50
-50
0
V DD = V HB = 8V
V DD = V HB = 12V
50 100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9. HIGH LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs TEMPERATURE
6.7
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 10. LOW LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs
TEMPERATURE
0.70
6.5
6.3
6.1
V HBR
V DDR
0.65
0.60
0.55
V HBH
5.9
5.7
0.50
5.5
5.3
0.45
0.40
V DDH
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 11. UNDERVOLTAGE LOCKOUT THRESHOLD vs
TEMPERATURE
7
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 12. UNDERVOLTAGE LOCKOUT HYSTERESIS vs
TEMPERATURE
FN6295.6
March 8, 2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ISL2111ABZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 8LD TTL INPUTS T RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111AR4Z | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 12LD 4X4 TTL INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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