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参数资料
| 型号： | ISL3298EIRTZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TX ESD RS485/422 LP 8-TDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 收发器 |
| 驱动器/接收器数： | 1/0 |
| 规程： | RS422，RS485 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN（2x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1241 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ISL3298EIRTZ-TDKR |
15
FN6544.0
September 19, 2007
FIGURE 22. DRIVER WAVEFORMS, LOW TO HIGH
(ISL3295E, ISL3298E)
FIGURE 23. DRIVER WAVEFORMS, HIGH TO LOW
(ISL3295E, ISL3298E
)
FIGURE 24. DRIVER WAVEFORMS, LOW TO HIGH
(ISL3295E, ISL3298E)
FIGURE 25. DRIVER WAVEFORMS, HIGH TO LOW
(ISL3295E, ISL3298E)
Die Characteristics
SUBSTRATE AND TDFN THERMAL PAD POTENTIAL
(POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
516
PROCESS:
Si Gate BiCMOS
Typical Performance Curves VCC = VL = 3.3V, TA = +25°C; Unless Otherwise Specified (Continued)
TIME (10ns/DIV)
DRIVER
OUTPUT
(V)
RDIFF = 54Ω, CD = 50pF
1.5
3.0
D
R
IV
ER
O
U
TP
UT
(
V
)
0
3
DRIVER
INP
U
T
(V)
DI
Z
Y
0
-3
-2
-1
0
1
2
3
Y - Z
TIME (10ns/DIV)
DRIVER
OUTPUT
(V)
RDIFF = 54Ω, CD = 50pF
1.5
3.0
D
R
IV
ER
O
U
TP
UT
(
V
)
0
3
DRIVER
INP
U
T
(V)
DI
Y
Z
0
-3
-2
-1
0
1
2
3
Y - Z
TIME (10ns/DIV)
DR
IV
ER
OU
TPUT
(V
)
RDIFF = 54Ω, CD = 50pF
1.5
3.0
DRIV
E
R
OUT
P
UT
(V
)
0
3
DRIVER
IN
P
U
T
(V
)
DI
Z
Y
0
-3
-2
-1
0
1
2
3
Y - Z
VL = 1.35V
TIME (10ns/DIV)
DRIVE
R
OUTPUT
(V)
RDIFF = 54Ω, CD = 50pF
1.5
3.0
DR
IV
ER
OU
TPUT
(V
)
0
3
DRIVER
INP
U
T
(V
)
DI
Y
Z
0
-3
-2
-1
0
1
2
3
Y - Z
VL = 1.35V
ISL3293E, ISL3294E, ISL3295E, ISL3296E, ISL3297E, ISL3298E
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