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参数资料
| 型号： | ISL55111IRZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 10/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN |
| 标准包装： | 75 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 3 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 300mA |
| 电流 - 峰值输出： | 3.5A |
| 电源电压： | 5 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（4x4） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1241 (CN2011-ZH PDF) |
ISL55110, ISL55111
Typical Performance Curves (See “Typical Performance Curves Discussion” on page 12) (Continued)
20
20
18
680pF
18
16
14
12
10
8
16
14
12
10
8
680pF
6
330pF
6
330pF
4
2
0
-40
-10
+20
+50
V H 12.0V
V DD 3.6V
+85
4
2
0
-40
-10
+20
+50
V H 12.0V
V DD 3.6V
+85
10
PACKAGE TEMP (°C)
FIGURE 17. tpdR vs TEMPERATURE
10
PACKAGE TEMP (°C)
FIGURE 18. tpdF vs TEMPERATURE
9
V H 12.0V
9
1000pF
8
680pF
1000pF
8 100pF/1k
330pF
680pF
7 100pF/1k
6
5
4
3
2
1
330pF
7
6
5
4
3
2
1
0
0
V H 12.0V
2.5
3.5
4.5
5.5
2.5
3.5
4.5
5.5
12.0
V DD (V)
FIGURE 19. t R vs V DD
12.0
V DD (V)
FIGURE 20. t F vs V DD
10.8
9.6
100pF/1k
330pF
680pF
1000pF
10.8
9.6
100pF/1k
330pF
680pF
1000pF
8.4
7.2
6.0
4.8
3.6
2.4
1.2
8.4
7.2
6.0
4.8
3.6
2.4
1.2
0.0
3
6
9
V DD 3.3V
12
0.0
3
6
9
V DD 3.3V
12
V H (V)
FIGURE 21. t R vs V H
10
V H (V)
FIGURE 22. t F vs V H
FN6228.6
August 8, 2013
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