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参数资料
型号： ISL55142IRZ
厂商： Intersil
文件页数： 9/14页
文件大小： 0K
描述： IC COMP CMOS HS 18V 20-QFN
标准包装： 60
类型： 窗口
元件数： 2
电压 - 电源，单路/双路(±)： 10 V ~ 18 V
电压 - 输入偏移（最小值）： 50mV @ -3V，12V
电流 - 输入偏压（最小值）： 0.025µA @ -3V，12V
电流 - 静态（最大值）： 12.5mA
传输延迟（最大）： 15ns
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 20-VQFN 裸露焊盘
安装类型： 表面贴装
包装： 管件
4
FN6230.3
April 4, 2013
Absolute Maximum Ratings
Thermal Information
VCC to VEE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to 19V
Input Voltages
PD, CVAX, CVBX, VINPX, VOH, VOL
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (VEE -0.5V) to (VCC +0.5V)
Output Voltage
QAX, QBX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (VOL -0.5V) to (VOH +0.5V)
Thermal Resistance (Typical, Note 8)
θJA (°C/W) θJC (°C/W)
16 Ld QFN Package (Notes 6, 7). . . . .
40
3
14 Ld TSSOP Package (Notes 4, 5) . .
100
31
20 Ld QFN Package (Notes 6, 7). . . . .
31
1.4
20 Ld TSSOP Package (Notes 4, 5) . .
76
25
36 Ld TQFN Package (Notes 6, 7). . . .
29
0.75
Maximum Junction Temperature (Plastic Plackage) . .
150°
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . -65°C to 150°C
Pb-Free Reflow Profile. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .see link below
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product reliability and
result in failures not covered by warranty.
NOTES:
4.
θJA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 for details.
5. For
θJC, the “case temp” location is taken at the package top center.
6.
θ
JA is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See
Tech Brief TB379.
7. For
θJC, the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
8. Device temperature is closely tied to data-rates, driver loads and overall pin activity. Review “Power Dissipation Considerations” on page 6 for
more information.
Recommended Operating Conditions
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Device Power
VCC-VEE
10
15
18
V
Comparator Output High Rail
VOH
VEE+1
VCC-0.5
V
Comparator Output Low Rail
VOL
VEE+0.5
VEE+6
V
Common Mode Input Voltage Range
VCM
VEE
VCC-5
V
Ambient Temperature
TA
-40
27
+85
°C
Junction Temperature
TJ
+125
°C
Electrical Specifications
Test Conditions: VCC = 12V, VEE = -3V, VOH = 5V, VOL = 0V, PD = VEE, CLOAD = 15pF, TA = 25°C, unless
otherwise specified.
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
(Note 13)
TYP
MAX
(Note 13)
UNITS
DC CHARACTERISTICS
Input Offset Voltage
VOS
CVAX = CVBX = 1.5V
-50
50
mV
Input Bias Current
IBIAS
VINPX - CV(A/B)X = ±5V
10
25
nA
Power-down Current
IPD
PD = VCC
825
A
Power-down Time (Note 11)
tPD
10
s
Power-up Time (Note 11)
tPU
15
s
TIMING CHARACTERISTICS
Propagation Delay
tpd
4.0
9.5
15
ns
Rise Time (Note 11)
tr
1.4
ns
Fall Time (Note 11)
tf
1.5
ns
Propagation Delay Mismatch
Δtpd
0.5
2
ns
Maximum Operating Frequency
FMAXR
Symmetry 50%
65
MHz
Min Pulse Width
tWIDR
7.7
ns
COMPARATOR INPUT
Input Current
IIN
VINPX = VCC or VEE
-100
0
100
nA
ISL55141, ISL55142, ISL55143
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PDF描述
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参数描述
ISL55142IRZ-T 功能描述:IC COMP CMOS HS 18V 20-QFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 线性 - 比较器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:2,500 系列:- 类型:通用 元件数:1 输出类型:CMOS，推挽式，满摆幅，TTL 电压 - 电源，单路/双路(±):2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V 电压 - 输入偏移（最小值）:5mV @ 5.5V 电流 - 输入偏压（最小值）:1pA @ 5.5V 电流 - 输出（标准）:- 电流 - 静态（最大值）:24µA CMRR, PSRR（标准）:80dB CMRR，80dB PSRR 传输延迟（最大）:450ns 磁滞:±3mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-WFBGA，CSPBGA 安装类型:表面贴装 包装:管件 其它名称:Q3554586
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ISL55143 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:High-Speed 18V CMOS Comparators
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