参数资料
| 型号： | ISL6263CRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 15/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VREG CORE 5BIT 1PHASE 32-QFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 应用： | 转换器，Intel IMVP-6 |
| 输入电压： | 5 V ~ 25 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 0.41 V ~ 1.29 V |
| 工作温度： | -10°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-QFN（5x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL6263
R DRP2
k droopamp = 1 + -------------------
The gain of the droop amplifier circuit is Equation 14:
(EQ. 14)
R DRP1
After determining R S and R NTCEQ networks, use
Equation 15 to calculate the droop resistances R DRP1 and
R DRP2 .
R droop is 8m Ω per Intel IMVP-6+ specification and R DRP1 is
typically 1k Ω .
The effectiveness of the R NTCEQ network is sensitive to the
coupling coefficient between the NTC thermistor and the
inductor. The NTC thermistor should be placed in the closet
proximity of the inductor.
R DRP2 = ? ? ------------------------------------------- ? – 1 ? ? R DRP1
? ? R droop ? ?
? ? DCR ? G 1 ( 25 ° C ) ? ?
(EQ. 15)
VDD
OCP
?
+
10 μ A
↓
+
OCSET
VSUM
R OCSET
R S
+
DROOP
?
DFB
DROOP
?
VO
V DCR
FIGURE 8. EQUIVALENT MODEL FOR DROOP CIRCUIT USING INDUCTOR DCR CURRENT SENSING
VDD
OCP
?
+
10 μ A
↓
+
OCSET
VSUM
R OCSET
R S
+
DROOP
?
DFB
DROOP
?
VO
V RSNS
FIGURE 9. EQUIVALENT MODEL FOR DROOP CIRCUIT USING DISCRETE RESISTOR CURRENT SENSING
15
FN9213.2
June 10, 2010
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PDF描述 |
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