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参数资料
| 型号： | ISL6439EVAL1 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVALUATION BOARD 1 ISL6439 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 输出及类型： | 1，非隔离 |
| 输出电压： | 0.8 ~ 3.3 V |
| 电流 - 输出： | 20A |
| 输入电压： | 3.3 ~ 5 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 频率 - 开关： | 300kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | ISL6439 |
ISL6439, ISL6439A
recommended to minimize the voltage drop across the
bootstrap capacitor during the on-time of the upper
MOSFET. Initial calculations with V BOOT2 no less than 4V
will quickly help narrow the bootstrap capacitor range.
For example, consider an upper MOSFET is chosen with a
maximum gate charge, Q g , of 100nC. Limiting the voltage
drop across the bootstrap capacitor to 1V results in a value
of no less than 0.1 μ F. The tolerance of the ceramic capacitor
should also be considered when selecting the final bootstrap
capacitance value.
A fast recovery diode is recommended when selecting a
bootstrap diode to reduce the impact of reverse recovery
3.3V
charge loss. Otherwise, the recovery charge, Q RR , would
have to be added to the gate charge of the MOSFET and
taken into consideration when calculating the minimum
bootstrap capacitance.
ISL6439 DC/DC Converter Application
Circuit
Figure 8 shows an application circuit of a DC/DC Converter.
Detailed information on the circuit, including a complete
Bill-of-Materials and circuit board description, can be found
in the ISL6439 Application Note.
GND
TP 1
4
CT1
C 1
0.1 μ F
11
VCC
U 1
OCSET
6
C 2
1000pF
C 3
C 4
0.22 μ F
ISL6439
CPVOUT
3
TP 3
R 1
9.76k Ω
5
10
CT2
CPGND
BOOT
13
D 1
C 7
0.1 μ F
C 5
10 μ F
Ceramic
C 6
1 μ F
1
GND
UGATE
14
PHASE
12
L 1
2.5V @ 5A
ENABLE
9
ENABLE
LGATE
2
C 8,9
COMP
FB
Q 1
8
C 10
33pF
7
R 3
R 2
C 11
2.26k Ω
6.49k Ω 5600pF
R 4
C 12
R 5
1.07k Ω
124 Ω
8200pF
GND
FIGURE 8. 3.3V to 2.5V 5A DC/DC CONVERTER
Component Selection Notes:
C 3,8,9 - Each 150 μ F, Panasonic EEF-UE0J151R or Equivalent.
D1 - 30mA Schottky Diode, MA732 or Equivalent
L 1 - 1 μ H Inductor, Panasonic P/N ETQ-P6F1ROSFA or Equivalent.
Q 1 - Fairchild MOSFET; ITF86110DK8.
13
FN9057.5
November 5, 2008
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