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参数资料
| 型号： | ISL6524CBZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTLR VRM8.5 PWM TRPL 28-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 应用： | 控制器，Intel VRM8.5 |
| 输入电压： | 10.8 V ~ 13.2 V |
| 输出数： | 4 |
| 输出电压： | 多重 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1244 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ISL6524CBZ-TDKR |
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions, Unless Otherwise Noted. Refer to Figures 1, 2 and 3 (Continued)
PARAMETER
Gain-Bandwidth Product
Slew Rate
SYMBOL
GBWP
SR
TEST CONDITIONS
Note 2
COMP = 10pF, Note 2
MIN
-
-
TYP
15
6
MAX
-
-
UNITS
MHz
V/ μ s
PWM CONTROLLERS GATE DRIVERS
UGATE Source
UGATE Sink
LGATE Source
LGATE Sink
I UGATE
R UGATE
I LGATE
R LGATE
VCC = 12V, V UGATE = 6V
V GATE-PHASE = 1V
VCC = 12V, V LGATE = 1V
V LGATE = 1V
-
-
-
-
1
1.7
1
1.4
-
3.5
-
3.0
A
?
A
?
PROTECTION
FAULT Sourcing Current
OCSET Current Source
Soft-Start Current
I OVP
I OCSET
I SS13,24
V FAULT/RT = 2.0V
V OCSET = 4.5V DC
V SS13,24 = 2.0V DC
-
170
-
8.5
200
28
-
230
-
mA
μ A
μ A
POWER GOOD
VSEN1 Upper Threshold
VSEN1 Rising
108
-
110
%
(VSEN1/DACOUT)
VSEN1 Undervoltage
VSEN1 Rising
92
-
94
%
(VSEN1/DACOUT)
VSEN1 Hysteresis (VSEN1/DACOUT)
VSEN1 Falling
-
2
-
%
PGOOD Voltage Low
V PGOOD
I PGOOD = -4mA
-
-
0.8
V
VSEN2 Undervoltage
VSEN2 Rising
1.08
V
VSEN2 Hysteresis
VSEN2 Falling
-
48
-
mV
VTTPG Voltage Low
V VTTPG
I VTTPG = -4mA
-
-
0.8
V
NOTE:
2. Guaranteed by design
Typical Performance Curves
100
C UGATE = C LGATE = C
VIN = 5V
C = 4800pF
1000
100
R T PULLUP
TO +12V
80
60
40
VCC = 12V
C = 3600pF
C = 1500pF
10
R T PULLDOWN TO V SS
20
C = 660pF
10
100
1000
0
100
200
300 400 500 600 700 800
900
1000
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
FIGURE 4. R T RESISTANCE vs FREQUENCY
5
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
FIGURE 5. BIAS SUPPLY CURRENT vs FREQUENCY
FN9015.3
April 18, 2005
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