参数资料
| 型号： | ISL6530CRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 15/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CONTROLLER INTEL 32QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 应用： | 控制器，Intel Pentium? III，IV |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 2.5V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-QFN（5x5） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | ISL6530CRZ-TCT |
ISL6530
ISL6530 DC-DC Converter Application Circuit
Figure 11 shows an application circuit for a DDR SDRAM
power supply, including V DDQ (+2.5V) and V TT (+1.25V).
Detailed information on the circuit, including a complete Bill-
+5V
of-Materials and circuit board description, can be found in
Application Note AN9993.
R 1
3.48k ?
C 1
1000pF
C 2
0.1 μ F
D 1
OCSET/SD
VCC
C 3
1.0 μ F
C 4,5
150 μ F(x2)
BOOT1
V2_SD
PGOOD
UGATE1
Q 1
C 30
VREF
VREF_IN
PHASE1
PVCC1
LGATE1
C 6
0.1 μ F
Q 2
L 1
1 μ H
V DDQ
@10A
C 7,8,9,10
150 μ F(x4)
100pF
C 26
5600pF
GNDA
COMP1
ISL6530
PGND1
BOOT2
D 2
C 15
0.1 μ F
R 26
6.34k ?
C 27
100pF
FB1
UGATE2
PHASE2
C 16
0.1 μ F
L 2
1 μ H
C 17
1.0 μ F
V TT
@5A
R 20
1.43k ?
R 19
3.01k ?
C 25
15000pF
SENSE1
COMP2
FB2
LGATE2
PGND2
SENSE2
Q 3
C 18,19
150 μ F(x2)
R 25
100 ?
C 24
68pF
R 23
8.87k ?
R 21
3.01k ? R 22
158 ?
Component Selection Notes:
C 23 2700pF
C 22 10000pF
C4,5,7,8,9,10,18,19 - Each 150mF, Panasonic EEF-UE0J151R
D1,2 - Each 30mA Schottky Diode, MA732
Q1,2 - Each Fairchild MOSFET; ITF86130DK8
Q3 - Fairchild MOSFET; ITF86110DK8
L1,2 - Each 1mH Inductor, Panasonic P/N ETQ-P6F1ROSFA
FIGURE 11. DDR SDRAM VOLTAGE REGULATOR
15
FN9052.2
November 15, 2004
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| ISL6531CBZ | 功能描述:IC CONTROLLER INTEL 24SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 稳压器 - 专用型 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:2,000 系列:- 应用:电源，ICERA E400，E450 输入电压:4.1 V ~ 5.5 V 输出数:10 输出电压:可编程 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:42-WFBGA，WLCSP 供应商设备封装:42-WLP 包装:带卷 (TR) |
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