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参数资料
| 型号： | ISL6532ACRZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 16/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG/CTRLR ACPI DUAL DDR 28QFN |
| 标准包装： | 50 |
| 应用： | 存储器，DDR/DDR2 稳压器 |
| 电流 - 电源： | 5.25mA |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 28-QFN（6x6） |
| 包装： | 管件 |
ISL6532A
MOSFET Selection - AGP LDO
The main criteria for selection of the linear regulator pass
transistor is package selection for efficient removal of heat.
Select a package and heatsink that maintains the junction
temperature below the rating with a maximum expected
ambient temperature.
The power dissipated in the linear regulator is:
ISL6532A Application Circuit
Figure 8 shows an application circuit utilizing the ISL6532A.
Detailed information on the circuit, including a complete Bill-
of-Materials and circuit board description, can be found in
Application Note AN1056.
P LINEAR ? I O × ( V IN - V OUT )
(EQ. 13)
where I O is the maximum output current and V OUT is the
nominal output voltage of the linear regulator.
5VSBY
VCC5
+3.3V
R 2
10.0k Ω
C 17,18
1 μ F
VCC12
C 16
1 μ F
R 1
4.99k Ω
Q 5
PGOOD
V DDQ
SLP_S5
PGOOD
S5#
NCH
C 22
1000pF
L 1
2.1 μ H
V REF
C 26
0.1 μ F
V DDQ
SLP_S3
C 27
0.1 μ F
C 19
0.47 μ F
S3#
VREF_OUT
VREF_IN
OCSET
UGATE
PHASE
R 7
8.87k Ω
Q 1,3
C 4,5
1 μ F
+
C 1-3
2200 μ F
V DDQ
2.5V 15A MAX
V TT
1.25V
C 20 +
220 μ F
V DDQ
+
C 21
220 μ F
VTT
VTT
VTTSNS
ISL6532A
LGATE
VDDQ
VDDQ
VDDQ
Q 2,4
L 2
2.1 μ H
+
C 6-8
1800 μ F
C 9-12
22 μ F
Q 4
R 10
100k Ω
DRIVE2
GNDQ
GNDQ
R 4
1.74k Ω
FB
V AGP
1.5V
C 25 680pF
FB2
COMP
C 15
C 13
56nF
R 5
22.6 Ω
C 24
1 μ F
+
C 23
220 μ F
R 8
249 Ω
R 9
287 Ω
C 14 R 3
1000pF
6.8nF 19.1k Ω
R 6
825 Ω
FIGURE 8. DDR SDRAM AND AGP VOLTAGE REGULATOR USING THE ISL6532A
16
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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