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参数资料
| 型号： | ISL6566EVAL1 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD 1 FOR ISL6566 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
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ISL6566
Absolute Maximum Ratings
Supply Voltage, VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +6V
Supply Voltage, PVCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +15V
Absolute Boot Voltage, V BOOT . . . . . . . . GND - 0.3V to GND + 36V
Phase Voltage, V PHASE . . . . . . . . GND - 0.3V to 15V (PVCC = 12)
GND - 8V (<400ns, 20μJ) to 24V (<200ns, V BOOT-PHASE = 12V)
Upper Gate Voltage, V UGATE . . . . V PHASE - 0.3V to V BOOT + 0.3V
V PHASE - 3.5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to V BOOT + 0.3V
Lower Gate Voltage, V LGATE . . . . . . . . GND - 0.3V to PVCC + 0.3V
GND - 5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to PVCC+ 0.3V
Thermal Information
Thermal Resistance θ JA (°C/W) θ JC (°C/W)
QFN Package (Notes 1, 2) . . . . . . . . . . 32 3.5
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . -65°C to 150°C
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . . 300°C
Input, Output, or I/O Voltage . . . . . . . . . GND - 0.3V to VCC + 0.3V
ESD Classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Class I JEDEC STD
Recommended Operating Conditions
VCC Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V ± 5%
PVCC Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V to 12V ± 5%
Ambient Temperature (ISL6566CR, ISL6566CRZ) . . . . 0°C to 70°C
Ambient Temperature (ISL6566IR, ISL6566IRZ) . . . . .-40°C to 85°C
CAUTION: Stress above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational section of this specification is not implied.
NOTES:
1. θ JA is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See
Tech Brief TB379.
2. For θ JC , the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions, Unless Otherwise Specified.
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
BIAS SUPPLY AND INTERNAL OSCILLATOR
Input Bias Supply Current
Gate Drive Bias Current
VCC POR (Power-On Reset) Threshold
PVCC POR (Power-On Reset) Threshold
Oscillator Ramp Amplitude (Note 3)
Maximum Duty Cycle (Note 3)
Oscillator Frequency, F SW
I VCC ; ENLL = high
I PVCC ; ENLL = high
VCC Rising
VCC Falling
PVCC Rising
PVCC Falling
V PP
R T = 100k ? ( ± 0. 1%)
-
-
4.25
3.75
4.25
3.60
-
-
225
15
0.8
4.38
3.88
4.38
3.88
1.50
66.6
250
20
-
4.50
4.00
4.50
4.00
-
-
275
mA
mA
V
V
V
V
V
%
kHz
CONTROL THRESHOLDS
ENLL Rising Threshold
ENLL Hysteresis
-
-
0.66
100
-
-
V
mV
COMP Shutdown Threshold
COMP Falling
0.2
0.3
0.4
V
REFERENCE AND DAC
System Accuracy (VID = 1.0V - 1.850V)
System Accuracy (VID = 0.8V - 1.0V)
DAC Input Low Voltage (VR9, VR10)
DAC Input High Voltage (VR9, VR10)
DAC Input Low Voltage (AMD)
DAC Input High Voltage (AMD)
-0.5
-0.8
-
0.8
-
1.0
-
-
-
-
-
-
0.5
0.8
0.4
-
0.6
-
%
%
V
V
V
V
OFS Sink Current Accuracy (Negative Offset)
OFS Source Current Accuracy (Positive Offset)
R OFS = 30k ? from OFS to VCC
R OFS = 10k ? from OFS to GND
47.5
47.5
50.0
50.0
52.5
52.5
μ A
μ A
6
FN9178.4
March 9, 2006
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