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参数资料
| 型号： | ISL6605CBZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET DUAL SYNC 8SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 33V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1241 (CN2011-ZH PDF) |
ISL6605
Typical Application - Multi-Phase Converter Using ISL6605 Gate Drivers
V IN
+5V
+5V
+5V
FB
VCC
COMP
VCC
EN
BOOT
UGATE
+V CORE
PGOOD
VSEN
PWM
PWM1
PWM2
PWM
499K*
ISL6605
PHASE
LGATE
CONTROL
(HIP63XX
or ISL65XX)
VID
(OPTIONAL)
FS/EN
GND
ISEN1
ISEN2
+5V
VCC
EN
BOOT
UGATE
V IN
PWM
499K*
ISL6605
PHASE
LGATE
* 499K IS USED TO PULL DOWN THE PWM INPUT TO PREVENT THE PWM FROM FALSE TRIGGERING UGATE DURING STARTUP.
3
FN9091.7
May 9, 2006
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEM15DTMD-S189 | CONN EDGECARD 30POS R/A .156 SLD |
| R1S12-1512 | CONV DC/DC 1W 15VIN 12VOUT |
| NCP5181DR2G | IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC |
| CB2016T1R0M | INDUCTOR POWER 1.0UH 1.1A 0806 |
| GCM10DCWI | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL6605CBZ | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET Driver IC |
| ISL6605CBZA | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:* |
| ISL6605CBZA-T | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:* |
| ISL6605CBZR5168 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:52980X01 MASKS ONLY - Rail/Tube 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNCH RECT 8SOIC 制造商:Intersil 功能描述:52831C01 MASK |
| ISL6605CBZ-T | 功能描述:功率驱动器IC VER OF ISL6605CB-T RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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