参数资料
型号: ISL6608CR-T
厂商: Intersil
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN
标准包装: 6,000
配置: 高端和低端,同步
输入类型: PWM
延迟时间: 20ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 1
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-QFN(3x3)
包装: 带卷 (TR)
ISL6608
Block Diagram
ISL6608
VCC
FCCM
SHOOT-
THROUGH
PROTECTION
BOOT
UGATE
PHASE
PWM
10K
CONTROL
LOGIC
VCC
LGATE
GND
THERMAL PAD (FOR QFN PACKAGE ONLY)
Typical Application - Multi-Phase Converter Using ISL6608 Gate Drivers
V BAT
+5V
+5V
+5V
FB
VCC
COMP
VCC
FCCM
BOOT
UGATE
+V CORE
DRIVE
PGOOD
VSEN
MAIN
PWM1
PWM2
FCCM
PWM
PHASE
ISL6608
THERMAL LGATE
PAD
CONTROL
VID
ISEN1
ISEN2
+5V
VCC
BOOT
V BAT
FS
DACOUT
GND
FCCM
PWM
DRIVE
UGATE
PHASE
ISL6608
THERMAL LGATE
PAD
3
相关PDF资料
PDF描述
345-086-520-804 CARDEDGE 86POS DUAL .100 GREEN
F720J337KRC CAP TANT 330UF 6.3V 10% 2824
T95D685K050HSSL CAP TANT 6.8UF 50V 10% 2917
R0.25S8-1212/P CONV DC/DC 0.25W 12V IN 12V OUT
VE-J61-CW-F2 CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
相关代理商/技术参数
参数描述
ISL6608CRZ 功能描述:功率驱动器IC VER OF ISL6608CR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
ISL6608CRZ-T 功能描述:功率驱动器IC VER OF ISL6608CR-T RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
ISL6608IB 功能描述:功率驱动器IC MOSFET DUAL SYNC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
ISL6608IB-T 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
ISL6608IBZ 功能描述:功率驱动器IC VER OF ISL6608IB W/-40TO+100 TEMP RNG RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube