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参数资料
| 型号： | ISL6615AIBZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 10ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 36V |
| 电源电压： | 6.8 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL6615A
gate-source threshold of the upper MOSFET. A higher dV/dt, a
lower C DS /C GS ratio, and a lower gate-source threshold upper
FET will require a smaller resistor to diminish the effect of the
internal capacitive coupling. For most applications, the
integrated 20k Ω typically sufficient, not affecting normal
performance and efficiency.
PVCC
DU
BOOT
C BOOT
UGATE G
C GD
VIN
D
C DS
The coupling effect can be roughly estimated with the formulas
in Equation 5, which assume a fixed linear input ramp and
neglect the clamping effect of the body diode of the upper drive
DL
R GI
C GS
Q UPPER
and the bootstrap capacitor. Other parasitic components such as
lead inductances and PCB capacitances are also not taken into
account. These equations are provided for guidance purpose
only. Therefore, the actual coupling effect should be examined
using a very high impedance (10M Ω or greater) probe to ensure
a safe design margin.
S
PHASE
FIGURE 5. GATE-TO-SOURCE RESISTOR TO REDUCE UPPER
MOSFET MILLER COUPLING
DS
? dV ?
dV
V GS_MILLER = ------ ? R ? C rss ? 1 – e dt
iss ?
– V
? ------------------------------- ?
------ ? R ? C
dt ? ?
? ?
? ?
(EQ. 5)
R = R UGPH + R GI
C rss = C GD
9
C iss = C GD + C GS
FN6608.2
April 13, 2012
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PDF描述 |
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