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参数资料
| 型号： | ISL6700IRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE TTL 12-QFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 70ns |
| 电流 - 峰： | 1.4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 80V |
| 电源电压： | 9 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 12-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 12-QFN（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL6700
Electrical Specifications
V DD = V HB = 12V, V SS = V HS = 0V, No Load on LO or HO, Unless Otherwise Specified (Continued)
T J = 25°C
T J = -40°C TO
125°C
PARAMETERS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
MIN
MAX
UNITS
GATE DRIVER OUTPUT PINS: LO & HO
Low Level Output Voltage
High Level Output Voltage
Peak Pullup Current
Peak Pulldown Current
V OL
V DD -V OH
I O +
I O -
I OUT = 0A
I OUT = 0A
V OUT = 0V
V OUT = 12V
-
-
-
-
-
-
1.4
1.3
0.1
0.1
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
-
-
V
V
A
A
Switching Specifications
V DD = V HB = 12V, V SS = V HS = 0V, No Load on LO or HO, Unless Otherwise Specified
TEST
T J = 25°C
T J = -40°C
TO 125°C
PARAMETERS
Lower Turn-off Propagation Delay
(LI Falling to LO Falling)
Upper Turn-off Propagation Delay
(HI Falling to HO Falling)
Lower Turn-on Propagation Delay
(LI Rising to LO Rising)
Upper Turn-on Propagation Delay
(HI Rising to HO Rising)
Deadtime, (t HPLH - t LPHL )
Deadtime, (t LPLH - t HPHL )
Rise Time
Fall Time
Delay Matching: Lower Turn-On and Upper Turn-Off
Delay Matching: Lower Turn-Off and Upper Turn-On
SYMBOL
t LPHL
t HPHL
t LPLH
t HPLH
DHt ON
DLt ON
t R
t F
t MON
t MOFF
CONDITIONS
LI, HI switched simultaneously
MIN
-
-
-
-
0
0
-
-
-
-
TYP
45
60
75
70
24
17
5
5
8
-15
MAX
50
75
82
75
-
-
20
20
20
25
MIN
-
-
-
-
0
0
-
-
-
-
MAX
65
90
95
95
-
-
25
25
25
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Pin Descriptions
SYMBOL
V DD
HI
LI
V SS
LO
HS
HO
HB
EPAD
DESCRIPTION
Positive supply to control logic and lower gate drivers. De-couple this pin to V SS . Connect anode of bootstrap diode to this pin.
Logic level input that controls the HO output.
Logic level input that controls the LO output.
Chip negative supply, generally will be ground.
Low-side output. Connect to gate of low-side power MOSFET.
High-side source connection. Connect to source of high-side power MOSFET. Connect negative side of bootstrap capacitor to this
pin.
High-side output. Connect to gate of high-side power MOSFET.
High-side bootstrap supply. External bootstrap diode and capacitor are required. Connect cathode of bootstrap diode and positive
side of bootstrap capacitor to this pin.
Exposed pad. Connect to ground or float. The EPAD is electrically isolated from all other pins.
5
FN9077.6
December 29, 2004
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PDF描述 |
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参数描述 |
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