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参数资料
| 型号： | ISL6729IBZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 2MHz |
| 占空比： | 100% |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 是 |
| 回扫： | 是 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 是 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL6729
Absolute Maximum Ratings
Supply Voltage, V DD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.3V to +6.5V
OUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.3V to V DD + 0.3V
Signal Pins . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.3V to 6.5V
Peak GATE Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1A
ESD Classification
Human Body Model (Per MIL-STD-883 Method 3015.7) . . .2000V
Charged Device Model (Per EOS/ESD DS5.3, 4/14/93) . . .1000V
Thermal Information
Thermal Resistance (Typical, Note 1) θ JA (°C/W)
SOIC Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
MSOP Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . -55°C to 150°C
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . -65°C to 150°C
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . . 300°C
(SOIC, MSOP- Lead Tips Only)
Operating Conditions
Temperature Range
ISL6729Ix . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to 105°C
Supply Voltage Range (Typical)
ISL6729 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.75V-5.25V
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
NOTES:
1. θ JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 for details.
2. All voltages are with respect to GND.
Electrical Specifications
Recommended operating conditions unless otherwise noted. Refer to Block Diagram and Typical Application
schematic. V DD = 5V, CLK = 50kHz, T A = -40 to 105°C (Note 3), Typical values are at T A = 25°C
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
UNDERVOLTAGE LOCKOUT
START Threshold
STOP Threshold
Hysteresis
4.15
4.00
-
4.50
4.30
0.2
4.75
4.60
-
V
V
Start-Up Current, I DD
Operating Current, I DD
Operating Supply Current, I D
V DD < START Threshold
(Note 4)
Includes 1nF GATE loading
-
-
-
0.4
3.3
4.1
12
5.5
6.0
mA
mA
mA
CURRENT SENSE
Input Bias Current
CS Offset Voltage
COMP to PWM Comparator Offset Voltage
CS Input Signal, Maximum
Gain, A CS = ? V COMP / ? V CS
CS to OUT Delay
V CS = 1V
V CS = 0V (Note 5)
V CS = 0V (Note 5)
0 < V CS < 910mV, V FB = 0V. (Note 5)
(Note 5)
-1.0
95
0.80
0.91
2.5
-
-
100
1.15
0.97
3.0
25
1.0
105
1.30
1.03
3.5
40
μ A
mV
V
V
V/V
ns
CLOCK
Input High Voltage Level, VIH
Input Low Voltage Level, VIL
-
-
2.8
2.7
-
-
V
V
Maximum Clock Rate
(Note 5)
2
-
-
MHz
OUTPUT
Gate VOH
Gate VOL
Peak Output Current
Rise Time
Fall Time
V DD - OUT, I OUT = -200mA
OUT - GND, I OUT = 200mA
C OUT = 1nF (Note 5)
C OUT = 1nF (Note 5)
C OUT = 1nF (Note 5)
-
-
1.0
-
-
1.0
1.0
-
20
20
2.0
2.0
-
40
40
V
V
A
ns
ns
4
FN9152.2
December 1, 2005
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