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参数资料
| 型号： | ISL84514IBZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH SPST 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 1 x SPST- NO |
| 导通状态电阻： | 20 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.4 V ~ 12 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
9
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
ISL84514: 40
ISL84515: 40
PROCESS:
Si Gate CMOS
FIGURE 11. TURN-ON TIME vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 12. TURN-OFF TIME vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 13. FREQUENCY RESPONSE
FIGURE 14. OFF ISOLATION
Typical Performance Curves TA = 25oC, Unless Otherwise Specified (Continued)
t ON
(ns)
V+ (V)
110
90
70
50
30
23456789
10
11
12
40
60
80
100
-40oC
85oC
RL = 300
VCOM = (V+) - 1V
130
120
140
25oC
t OF
F
(n
s)
V+ (V)
50
40
30
20
10
23456789
10
11
12
25oC
-40oC
85oC
RL = 300
VCOM = (V+) - 1V
60
FREQUENCY (MHz)
0
-3
-6
NORMALIZE
D
GA
IN
(dB
)
GAIN
PHASE
0
20
40
60
80
100
P
H
AS
E
(DEGRE
ES)
1
10
100
600
VIN = 0.2VP-P to 2.5VP-P (V+ = 3.3V)
VIN = 0.2VP-P to 5VP-P (V+ = 12V)
RL = 50
V+ = 3.3V
V+ = 12V
V+ = 3.3V
FREQUENCY (Hz)
1k
100k
1M
100M
500M
10k
10M
110
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
O
FF
IS
OL
A
T
IO
N
(
d
B)
V+ = 3V to 13V
RL = 50
ISL84514, ISL84515
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PDF描述 |
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