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参数资料
| 型号： | ISL84544IH-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH SPDT SOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 1 x SPDT |
| 导通状态电阻： | 60 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 12 V |
| 电流 - 电源： | 100pA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ISL84544IH-DKR ISL84544IH-DKR-ND ISL84544IHDKR |
10
they are reverse biased differently. Each is biased by either
V+ or GND and the analog signal. This means their leakages
will vary as the signal varies. The difference in the two diode
leakages to the V+ and GND pins constitutes the analog-
signal-path leakage current. All analog leakage current flows
between each pin and one of the supply terminals, not to the
other switch terminal. This is why both sides of a given
switch can show leakage currents of the same or opposite
polarity. There is no connection between the analog-signal
paths and V+ or GND.
Typical Performance Curves TA = 25oC, Unless Otherwise Specified
FIGURE 9. ON RESISTANCE vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 10. ON RESISTANCE vs SWITCH VOLTAGE
FIGURE 11. RON MATCH vs SWITCH VOLTAGE
FIGURE 12. CHARGE INJECTION vs SWITCH VOLTAGE
R
ON
(
)
V+ (V)
35
25
15
5
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
25oC
-40oC
85oC
10
20
30
40
R
ON
(
)
VCOM (V)
15
5
0
4
6
8
10
12
10
20
2
20
15
25
10
25
20
30
15
40
45
V+ = 3.3V
V+ = 5V
V+ = 12V
25oC
-40oC
85oC
25oC
-40oC
85oC
25oC
-40oC
85oC
30
35
-40oC
R
ON
(
)
VCOM (V)
0.1
0
4
6
8
10
12
0.05
0.15
2
V+ = 3.3V
V+ = 5V
V+ = 12V
25oC
-40oC
85oC
0.1
0.05
0.15
0
0.2
0.25
25oC
-40oC
85oC
0.2
0.1
0.3
0
0.4
0.5
25oC
-40oC
85oC
25oC
Q
(p
C)
VCOM (V)
60
40
20
0
-20
0
4
6
8
10
12
-10
10
30
50
V+ = 3.3V
2
V+ = 5V
V+ = 12V
ISL84541, ISL84542, ISL84543, ISL84544
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