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参数资料
| 型号： | ISL84684IRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 10TDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT |
| 导通状态电阻： | 500 毫欧 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 4.5 V |
| 电流 - 电源： | 40nA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-TDFN/MLP（3x3） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | ISL84684IRZ-TCT |
10
FN6088.5
July 31, 2007
FIGURE 16. TURN-OFF TIME vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 17. TURN-ON TIME vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 18. DIGITAL SWITCHING POINT vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 19. FREQUENCY RESPONSE
FIGURE 20. CROSSTALK AND OFF ISOLATION
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND (QFN Paddle Connection: Tie to GND or Float)
TRANSISTOR COUNT:
114
PROCESS:
Submicron CMOS
Typical Performance Curves TA = +25°C, Unless Otherwise Specified (Continued)
t OF
F
(ns)
V+ (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
50
100
150
200
+85°C
-40°C
+25°C
t ON
(ns)
V+ (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
25
100
150
200
250
+85°C
-40°C
+25°C
V+ (V)
V
INH
AND
V
IN
L
(V
)
1.52.0
2.53.0
3.54.0
4.5
VINH
VINL
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
FREQUENCY (Hz)
0
-20
NORMALIZE
D
GAIN
(dB
)
GAIN
PHASE
V+ = 3V
0
20
40
60
80
100
PHASE
(°
)
1M
10M
100M
600M
VIN = 0.2VP-P to 2VP-P
RL = 50Ω
FREQUENCY (Hz)
1k
100k
1M
100M
500M
10k
10M
-110
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
CR
O
S
T
A
L
K
(
d
B
)
OF
F
IS
O
L
A
T
IO
N
(
d
B)
110
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
ISOLATION
CROSSTALK
V+ = 3.0V
ISL84684
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