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参数资料
| 型号： | ISL84781IR-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MUX/DEMUX 8X1 16TQFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 功能： | 多路复用器/多路分解器 |
| 电路： | 1 x 8:1 |
| 导通状态电阻： | 750 毫欧 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.6 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 电源： | 50nA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
FN6095.4
October 28, 2010
Virtually all the analog leakage current comes from the ESD
diodes to V+ or GND. Although the ESD diodes on a given
signal pin are identical and therefore fairly well balanced,
they are reverse biased differently. Each is biased by either
V+ or GND and the analog signal. This means their leakages
will vary as the signal varies. The difference in the two diode
leakages to the V+ and GND pins constitutes the analog-
signal-path leakage current. All analog leakage current flows
between each pin and one of the supply terminals, not to the
other switch terminal. This is why both sides of a given
switch can show leakage currents of the same or opposite
polarity. There is no connection between the analog signal
paths and V+ or GND.
Typical Performance Curves TA = +25°C, Unless Otherwise Specified
FIGURE 8. ON-RESISTANCE vs SUPPLY VOLTAGE vs
SWITCH VOLTAGE
FIGURE 9. ON-RESISTANCE vs SWITCH VOLTAGE
FIGURE 10. ON-RESISTANCE vs SWITCH VOLTAGE
FIGURE 11. CHARGE INJECTION vs SWITCH VOLTAGE
01
2
3
4
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
r ON
(
Ω
)
VCOM (V)
ICOM = 100mA
V+ = 3V
V+ = 2.7V
V+ = 1.8V
V+ = 3.6V
V+ = 1.65V
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
r ON
(
Ω
)
VCOM (V)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
+25°C
+85°C
-40°C
V+ = 3V
ICOM = 100mA
0
0.5
1.0
1.5
2.0
r ON
(
Ω
)
VCOM (V)
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
+85
°C
-40
°C
+25
°C
V+ = 1.8V
ICOM = 100mA
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
Q
(p
C)
VCOM (V)
V+ = 1.8V
V+ = 3V
ISL84781
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