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参数资料
| 型号： | ISL89166FRTAZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 25ns |
| 电流 - 峰： | 6A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN-EP（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL89166, ISL89167, ISL89168
Where:
freq = Switching frequency,
V GS = V DD bias of the ISL89166, ISL89167, ISL89168
Q c = Gate charge for V GS
r DS(ON) = ON-resistance of the driver
R gate = External gate resistance (if any).
Note that the gate power dissipation is proportionally shared with
the external gate resistor. When sizing an external gate resistor,
do not overlook the power dissipated by this resistor.
I DD (freq) = Bias current at the switching frequency (see Figure 10
on page 7)
Typical Application Circuit
V BRIDGE
ZVS FULL BRIDGE
SQR
PWM
L
R
L
SQR
U1A
V GUL
Q UL
Q UR
V GUR
ISL89162
LL
V GLL
U1B
T1A
T2
T1B
V GUL
Red dashed lines
emphasize the
? ISL89166
V GLL
Q LL
Q LR
V GLR
? ISL89166
LR
resonant switching LL
delay of the low-side
U2A
U2B
LR
V GLR
V GUR
10
bridge FETs
LL: Lower Left
LR: Lower Right
UL: Upper Left
UR: Upper Right
GLL: Gate Lower Left
FN7720.2
February 26, 2013
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PDF描述 |
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参数描述 |
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