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参数资料
| 型号： | ISL89401AR3Z-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR 100V 1.25A 9-DFN |
| 产品培训模块： | Solutions for Industrial Control Applications |
| 标准包装： | 6,000 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 39ns |
| 电流 - 峰： | 1.25A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 9 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 9-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 9-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL89400, ISL89401
Typical Performance Curves
10.00
(Continued)
10.00
T = +125°C
T = -40°C
1.00
0.10
T = +25°C
1.00
0.10
T = +150°C
T = +125°C
T = +150°C
T = +25°C
T = -40°C
0.01
10k
100k
1M
0.01
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
FIGURE 7. I HB OPERATING CURRENT vs FREQUENCY
FREQUENCY (Hz)
FIGURE 8. I HBS OPERATING CURRENT vs FREQUENCY
500
450
400
350
V DD = V HB = 9V
V DD = V HB = 12V
450
400
350
300
V DD = V HB = 12V
V DD = V HB = 9V
300
250
250
200
V DD = V HB = 14V
200
V DD = V HB = 14V
150
-50
0
50
100
150
150
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9. HIGH LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs TEMPERATURE
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 10. LOW LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs
TEMPERATURE
7.6
7.4
7.2
7.0
V HBR
V DDR
0.60
0.55
0.50
0.45
V HBH
V DDH
6.8
-50
0
50
100
150
0.40
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 11. UNDERVOLTAGE LOCKOUT THRESHOLD vs
TEMPERATURE
7
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 12. UNDERVOLTAGE LOCKOUT HYSTERESIS vs
TEMPERATURE
FN6614.2
August 11, 2009
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC1303B-DF0EMF | IC REG DL BUCK/LINEAR SYNC 10DFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ISL89410IP | 功能描述:IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-PDIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| ISL89410IPZ | 功能描述:IC DVR MOSFET DUAL-CH 8-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:* |
| ISL89411IBZ | 功能描述:功率驱动器IC DUAL INVERT DRVR MODIFIED EL7212 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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