- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20647 > ISL89411IBZ (Intersil)IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ISL89411IBZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 97 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 18ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
ISL89410, ISL89411, ISL89412
Absolute Maximum Ratings
Supply (V+ to GND) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19.0V
Input Pins . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +0.3V above V+
Combined Peak Output Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4A
Maximum Recommended Operating Conditions
Recommended Operating V+ Range. . . . . . . . . . . . . . 4.5V to 18.0V
Input Pins . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0V to V+
Thermal Information
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Power Dissipation
8 Ld SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .570mW
8 Ld PDIP* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1050mW
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Ambient Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C
Pb-Free Reflow Profile. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .see link below
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
*Pb-free PDIPs can be used for through-hole wave solder
processing only. They are not intended for use in Reflow solder
processing applications.
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product reliability and
result in failures not covered by warranty.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typical values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests
are at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: T J = T C = T A
DC Electrical Specifications
T A = +25°C, V = 18V unless otherwise specified; Parameters with MIN and/or MAX limits are 100% tested
at +25°C, unless otherwise specified. Temperature limits established by characterization and are not
production tested.
PARAMETER
DESCRIPTION
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
INPUT
V IH
Logic “1” Input Voltage
2.4
V
I IH
V IL
I IL
V HVS
Logic “1” Input Current
Logic “0” Input Voltage
Logic “0” Input Current
Input Hysteresis
@V+
@0V
0.1
0.1
0.3
10
0.8
10
μA
V
μA
V
OUTPUT
R OH
R OL
I PK
Pull-Up Resistance
Pull-Down Resistance
Peak Output Current
I OUT = -100mA
I OUT = +100mA
Source
3
4
2
6
6
Ω
Ω
A
Sink
2
A
I DC
Continuous Output Current
Source/Sink
100
mA
POWER SUPPLY
I S
V S
Power Supply Current
Operating Voltage
Inputs High/ISL89410
Inputs High/ISL89411
Inputs High/ISL89412
4.5
4.5
1
2.5
7.5
2.5
5.0
18
mA
mA
mA
V
AC Electrical Specifications
T A = +25°C, V = 18V unless otherwise specified.
PARAMETER
DESCRIPTION
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
SWITCHING CHARACTERISTICS
t R
t F
Rise Time (Note 1)
Fall Time (Note 1)
C L = 500pF
C L = 1000pF
C L = 500pF
C L = 1000pF
7.5
10
10
13
20
20
ns
ns
ns
ns
t D1
t D2
Turn-On Delay Time (Note 1)
Turn-Off Delay Time (Note 1)
See “Timing Table” on page 4
See“Timing Table” on page 4
18
20
25
25
ns
ns
NOTE:
1. Limits established by characterization and are not production tested.
3
FN6798.1
July 1, 2009
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEC06DRYI-S734 | CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD |
| VE-JN1-CY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 12V 50W |
| T95Z107M6R3CSSL | CAP TANT 100UF 6.3V 20% 2910 |
| EEC22DREH | CONN EDGECARD 44POS .100 EYELET |
| FEP16GT | DIODE FAST 400V 8A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL89411IBZ-T13 | 功能描述:IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| ISL89411IP | 制造商:Intersil Corporation 功能描述: |
| ISL89411IPZ | 功能描述:IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:* |
| ISL89412IBZ | 功能描述:功率驱动器IC COMP MOSFET DRVR MODIFIED EL7222 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL89412IBZ-T13 | 功能描述:IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。