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参数资料
| 型号： | ISL9R18120S3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 1809K |
| 描述： | DIODE STEALTH 1200V 18A TO-263AB |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Stealth™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 18A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 3.3V @ 18A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 300ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 1200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ISL9R18120S3STDKR |
Figure 12. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Typical Performance Curves (Continued)
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10-5
10-2
10-1
Z
θ
JA
, NORMALIZED
THERMAL IMPEDANCE
0.01
10-4
10-3
SINGLE PULSE
100
0.1
101
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK TJ
= P
DM
x Z
θJA
x R
θJA
+ T
A
PDM
t1
t2
1.0
Test Circuit and Waveforms
Figure 13. trr
Test Circuit
Figure 14. trr
Waveforms and Definitions
Figure 15. Avalanche Energy Test Circuit
Figure 16. Avalanche Current and Voltage
Waveforms
RG
L
V
-
DD
MOSFET
CURRENT
SENSE
DUT
VGE
t1
t2
VGE
AMPLITUDE AND
t1 AND t2 CONTROL IF
RG
CONTROL dI
F/dt
+
dt
dIF
IF
trr
ta
tb
0
IRM
0.25 IRM
DUT
CURRENT
SENSE
+
LR
VDD
R < 0.1?
EAVL = 1/2LI2
[V
R(AVL)/(VR(AVL)
- V
DD)]
Q1 = IGBT (BVCES
> DUT V
R(AVL))
-
VDD
Q1
I = 1A
L = 40mH
VDD
= 50V
IV
t0
t1
t2
IL
VAVL
t
IL
ISL9R18120G2
,
ISL9R18120P2
,
I
SL9R18120S3S
— STEALTH? Diode
?2002
Fairchild
Semiconductor Corporation
ISL9R18120G2, ISL9R18120P2,
ISL9R18120S3S
Rev.
C2
www.fairchildsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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