参数资料
型号: IX2R11M6T/R
厂商: IXYS
文件页数: 7/13页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
标准包装: 3,000
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-MLP
供应商设备封装: 16-MLP
包装: 带卷 (TR)
IX2R11
V CH
1
VIN+
Up to 500V
3
1
IXCP
10M90S
10
VOUT-
VOUT- 15
1k
2
1uF/35V MLCC
11
12
VOUT+
GND
VOUT+
14
30
5.1
1N5817
1uF/35V MLCC
11
HS
HGO
8
51
IXTH14N60P
12
NC
V CH
7
V DD
HIN
ENB
1 k
1 k
10uF/35V
13
14
15
V DD
HIN
ENB
HS
NC
NC
6
5
4
0.1uF/1kV
LIN
1 k
16
17
18
LIN
DG
LS
V CL
LS
LGO
3
2
1
5.1
51
1N5817
IXTH14N60P
V CL
10uF/35V
1uF/35V MLCC
Figure 11. Test circuit for low frequency, 75kHz, operation.
V DD , V CH , V CL = 15V
? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IX2R11P7 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 2A 14-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IX2R11S3 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IX2R11S3T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IX-30-0001 功能描述:脉冲变压器 IX5 Pulse transform THT 1A RoHS:否 制造商:Murata Power Solutions 安装风格:SMD/SMT 匝数比:1:1:1 电感:1890 uH 次级线圈电阻: 电压时间 - Et: 长度:12.7 mm 宽度:9.52 mm 高度:6.35 mm
IX3120 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:2.5A Output Current Gate Driver Optocoupler