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参数资料
| 型号： | IX4R11M6T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-MLP |
| 供应商设备封装： | 16-MLP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IX4R11
Dynamic Electrical Characteristics
Symbol
t on
t off
Definition
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Test Conditions
V HS = 0V, C load = 2nF
V HS = 600V, C load = 2nF
Min
Typ
120
87
Max
Units
ns
ns
t en
Device enable delay
202
ns
t r
t f
Turn-on rise time
Turn-off fall time
C load = 2nF
C load = 2nF
23
22
ns
ns
t dm
Delay matching, HS & LS turn-on/off
C load = 2nF
10
20
ns
Static Electrical Characteristics
Symbol
Definition
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
V INH
V INL
Logic “1” input voltage
Logic “0” input voltage
V DD = V CL = 15V
V DD = V CC = 15V
7.0
6
V
V
V HLGO / / V HHGO High level output voltage,
I O = 0A
0.28
V
V CH -V HGO or V CL -V LGO
V LLGO / / V LHGO High level output voltage,
I O = 0A
.23
V
V HGO or V LGO
I HL
I QHS
I QLS
I QDD
I IN +
I IN -
HS to LS bias current.
Quiescent V CH supply current
Quiescent V CL supply current
Quiescent V DD supply current
Logic “1” input bias current
Logic “0” input voltage
V HS = V CH = 600V
V IN = 0V or V DD
V IN = 0V or V DD
V IN = 0V or V DD
V IN = V DD
V IN = 0V
.17
.77
.79
36
2
1
mA
mA
mA
uA
uA
uA
V CHUV +
V CHUV -
V CLUV +
V CLUV -
I GO +
I GO -
V CH supply undervoltage positive going threshold.
V CH supply undervoltage negative going threshold.
V CL supply undervoltage positive going threshold
V CL supply undervoltage negative going threshold.
HS or LS Output low short circuit current; V GO = 15V, V IN = 0V, PW<10us +4
HS or LS Output low short circuit current; V GO = 15V, V IN =0V, PW<10us
8.3
8.2
8.1
8.0
-4
V
V
V
V
A
A
Timing Waveform Definitions
ENB
HIN/LIN
50%
ENB
tenb
LGO/HGO
LGO/HGO
10%
Figure 3. INPUT/OUPUT Timing Diagram
4
Figure 4. ENABLE Waveform Definitions
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-070-523-202 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| T95Y686M004LSAL | CAP TANT 68UF 4V 20% 2910 |
| 151CMQ035 | SCHOTTKY RECT 35V 150A D-60 |
| MIC5018BM4 TR | IC DRIVER MOSFET HI SIDE SOT143 |
| MAX6001EUR+T | IC VREF SERIES 1.25V SOT-23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IX4R11P7 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 4A 14-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IX4R11S3 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IX4R11S3T/R | 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 35V 3.7 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX-500 | 制造商:Brainboxes 功能描述:Instashield PCIe LPT 制造商:Brainboxes 功能描述:INTASHIELD PCIE LPT |
| IX-50DC12-IG | 制造商:PolyPhaser 功能描述:EMP/LIGHTNING PROTECTOR |
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