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参数资料
| 型号： | IXA531L4T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 44-PLCC |
| 标准包装： | 500 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 425ns |
| 电流 - 峰： | 600mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 650V |
| 电源电压： | 8 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXA531
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CL , V CH1,2,3 ) = 15V unless otherwise specified. The V IN , V TH and I IN parameters are referenced to DG and are
applicable to all six channels . The V O and I O parameters are referenced to LS and V HS1,2,3 and are applicable to the
respective output leads: H and L GO1,2,3 .
GO1,2,3
Symbol
Definition
Min.
Typ. Max. Units
Test Conditions
VINL
VINH
VEN,TH+
VEN,TH -
Logic “0” input voltage HIN1,2,3; LIN1,2,3
Logic “1” input voltage HIN1,2,3; LIN1,2,3
EN positve going threshold
EN negative going threshold
3.0
0.8
0.8
3.0
V
V
V
V
VITRP, TH+
ITRP positve going threshold
0.37
0.46 0.55 V
VITRP, HYS
VRST,TH+
VRST, HYS
ITRP input hysteresis
RST positive going threshold
RST input hysteresis
.07
8
3
V
V
V
VOH1,2,3
VOL1,2,3
High level output voltage, VCH - VHGO or VCL- VLGO
Low level output voltage, VHGO or VLGO
0.9
0.4
1.4
0.6
V
V
I0=20mA
I0=20mA
VCLUV+
VCHUV+
VCLUV-
VCHUV-
VCL supply under-voltage positive going threshold
VCH supply under-voltage positive going threshold
VCL supply under-voltage negaitive going threshold
VCH supply under-voltage negaitive going threshold
10.6
10.6
10.4
10.4
11.1 11.6 V
11.1 11.6 V
10.9 11.4 V
10.9 11.4 V
VCLUVH
VCHUVH
VCL supply under-voltage lockout hysteresis
VCH supply under-voltage lockout hysteresis
0.2
0.2
V
V
ILK
Offset supply leakage current
50
μ A
VCH1,2,3=
VHS1,2,3=600 V
IQVCH
IQVCL
VIN
ILIN+or IIN+
ILIN-or IIN-
IHIN+or IIN+
IHIN-or IIN-
IITRP+
IITRP-
IEN+
IEN-
IRST
IGO+
IGO-
RON, RST
RON, FLT
Quiescent VCH supply current
Quiescent VCL supply current
Input clamp voltage (HIN,LIN,ITRP,EN)
Logic “1“ Input bias current for LIN1,2,3
Logic “0“ Input bias current for LIN1,2,3
Logic “1“ Input bias current for HIN1,2,3
Logic “0“ Input bias current for HIN1,2,3
“high” ITRP input bias current
“low” ITRP input bias current
“high” ENABLE input bias current
“low” ENABLE input bias current
RST input bias current
Output high short circuit pulsed current
Output low short circuit pulsed current
RST low on resistance
FLT low on resistance
70
1.6
4.9
200
100
200
100
30
0
30
0
0
600
600
50
50
120
2.3
300
220
300
220
100
1
100
1
1
100
100
μ A
mA
V
μ A
μ A
μ A
μ A
μ A
μ A
μ A
μ A
μ A
mA
mA
Ω
Ω
VIN=0V or 5V
VIN=0V or 5V
IIN = 100 μ A
VLIN = 5V
VLIN = 0V
VHIN = 5V
VHIN = 0V
VITRP = 5V
VITRP = 0V
VEN = 5V
VEN = 0V
VRST = 0Vor 15V
V0=0V,PW < 10 μ s
V0=15V,PW < 10 μ s
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-070-524-801 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| IXA531L4 | IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 44-PLCC |
| VI-B3W-CX-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W |
| VI-B3W-CX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W |
| T95X226K004HSAL | CAP TANT 22UF 4V 10% 2910 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXA531S10 | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXA531S10T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXA55I1200HJ | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT 1200V 84A Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXA60IF1200NA | 功能描述:IGBT 模块 XPT IGBT Copack RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXA611 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:600mA Half-Bridge Driver |
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