参数资料
| 型号： | IXBOD1-08 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SGL DIODE BOD 0.9A 800V FP |
| 标准包装： | 100 |
| 电压 - 箝位： | 800V |
| 技术： | 混合技术 |
| 电路数： | 1 |
| 应用： | 高电压 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
IXBOD 1 -06...10
Fig. 1 Energy per pulse for trapezoidal current wafeforms
(see waveform definition).
Fig. 2
Energy per pulse for exponentially decaying
current pulse (see waveforms definition).
V a = 0 m/s
V a = 2 m/s
[V]
V T
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
[K/W]
Z thJA
Fig. 3 On-state voltage
? 2000 IXYS All rights reserved
i T
[A]
Fig. 4 Transient thermal resistance.
t [s]
H-3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LT1097CN8 | IC PREC OP-AMP LOW-COST/PWR 8DIP |
| 7100.1021.13 | FUSE 4A 250V T-LAG 3.5MM PCB |
| NCP4300ADR2 | IC OPAMP/VOLT REF DUAL 8SOIC |
| STF203-33.TCT | IC TVS USB 33OHM RES SC70-6 |
| 0901210148 | CONN HEADER R/A TIN 28POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXBOD1-09 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 900V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-10 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-12 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes |
| IXBOD1-12D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.25KV V(BO) MAX|15MA I(S) |
| IXBOD1-12R | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。