参数资料
| 型号： | IXBOD1-09 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SGL DIODE BOD 0.9A 900V FP |
| 标准包装： | 100 |
| 电压 - 箝位： | 900V |
| 技术： | 混合技术 |
| 电路数： | 1 |
| 应用： | 高电压 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
IXBOD 1 -12R...42R(D)
A
K
K
A
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Fig. 5 Energy per pulse for single BOD element
for trapezoidal wave current. E P must be multiplied
by number of elements for total energy.
Fig. 6 Energy per pulse for single BOD element
for exponentially decaying current pulse. E P must
be multiplied by number of elements for total
energy.
n = number of BOD-Elements in series
[V]
V T
Fig. 7 On-state voltage at T VJ = 125°C.
? 2000 IXYS All rights reserved
i T
[A]
[K/W]
Z thJA
Fig. 8 Transient thermal resistance.
V a = 0 m/s
V a = 2 m/s
t [s]
H-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7100.1016.13 | FUSE 1.25A 250V T-LAG 3.5MM PCB |
| IXBOD1-10 | IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP |
| NCS7101SN1T1 | IC OPAMP SGL R-R 1.8V 5TSOP |
| 953224-2000-AR-PR | CONN SOCKET 24POS 2MM VERT SMD |
| IXBOD1-08 | IC SGL DIODE BOD 0.9A 800V FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXBOD1-10 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-12 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes |
| IXBOD1-12D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.25KV V(BO) MAX|15MA I(S) |
| IXBOD1-12R | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-12RD | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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