参数资料
| 型号： | IXBOD1-22R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2200V |
| 标准包装： | 20 |
| 电压 - 箝位： | 2200V（2.2kV） |
| 技术： | 混合技术 |
| 电路数： | 3 |
| 应用： | 高电压 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 管件 |
IXBOD 1 -12R...42R(D)
Breakover Diode Modules
Version: R
Version: RD
V BO
V
Standard
Types
BOD -
Elements
V BO
V
Standard
Types
BOD -
Elements
V BO
V
Standard
Types
BOD -
Elements
1200
1300
1400
1500
1600
±50
±50
±50
±50
±50
IXBOD 1 -12R(D)
IXBOD 1 -13R(D)
IXBOD 1 -14R(D)
IXBOD 1 -15R(D)
IXBOD 1 -16R(D)
2
2
2
2
2
2000 ±50
2100 ±50
2200 ±50
2300 ±50
2400 ±50
IXBOD 1 -20R(D)
IXBOD 1 -21R(D)
IXBOD 1 -22R(D)
IXBOD 1 -23R(D)
IXBOD 1 -24R(D)
3
3
3
3
3
3400
3600
3800
4000
4200
±100
±100
±100
±100
±100
IXBOD 1 -34R
IXBOD 1 -36R
IXBOD 1 -38R
IXBOD 1 -40R
IXBOD 1 -42R
4
4
4
4
4
1700
1800
1900
±50
±50
±50
IXBOD 1 -17R(D)
IXBOD 1 -18R(D)
IXBOD 1 -19R(D)
2
2
2
2500 ±50
2600 ±100
2800 ±100
IXBOD 1 -25R(D)
IXBOD 1 -26R(D)
IXBOD 1 -28R(D)
3
3
3
3000 ±100
3200 ±100
IXBOD 1 -30R(D)
IXBOD 1 -32R(D)
3
3
2-3 BODs
Symbol
Test Conditions
2 BODs
3 BODs
4 BODs
D-Version
I D
T VJ =
125 ° C;V = 0,8x V BO
100
100
100
100
μA
V BO
V BO (T VJ ) = V BO, 25 ° C [1 + K T (T VJ - 25 ° C)]
I RMS
f = 50 HZ;
T amb = 50 ° C
2.0
1.4
1.1
0.3
A
connection pins soldered to printed circuit
(conductor 0,035x2mm)
I AVM
1.25
0.9
0.7
0.2
A
I SM
I2t
t p = 0.1 ms;
t p = 0.1 ms;
T amb = 50 ° C non repetitive
T amb = 50 ° C
200
2
200
2
200
2
50
0.125
A
A 2 s
V T
V (TO)
r T
T amb
T stg
T VJm
K T
T VJ =125 ° C; I T = 5A
For power-loss calculations only
T VJ =125 ° C
Temperatur coefficient of V BO
3.4
2.2
0.24
-40...+125
-40...+125
125
2 · 10 -3
5.1
3.3
0.36
-40...+125
-40...+125
125
2 · 10 -3
6.8
4.4
0.48
-40...+125
-40...+125
125
2 · 10 -3
27
17.5
3
-40...+125
-40...+125
125
2 · 10 -3
V
V
?
° C
° C
° C
K -1
K P coefficient for energy per pulse E P (material constant) 700
700
700
700
K/Ws
R thJA
Weight
- natural convection
- with air speed 2 m/s
typical
20
16
14
20
16
14
20
16
14
20
16
14
K/W
K/W
g
Symbol
Test Conditions Characteristic Values both Versions R & RD 2 BODs
3 BODs
4 BODs
I BO
I H
V H
T VJ =
T VJ =
T VJ =
25 ° C
25 ° C
25 ° C
15
30
4-8
15
30
4-8
15
30
4-8
mA
mA
V
(dv/dt) C
T VJ = 50 ° C; V D = 0.67 · (V BO + 100V)
- V BO
bis 1500V
> 1000
-
-
V/μs
- V BO 1600 - 2000V
- V BO 2100 - 2500V
- V BO 2600 - 3000V
- V BO 3200 - 3400V
- V BO 3600 - 4200V
> 1500
-
-
-
-
-
> 2000
> 2500
-
-
-
-
-
> 3000
> 3500
V/μs
V/μs
V/μs
V/μs
V/μs
(di/dt) C
T VJ = 125 ° C;
V D = V BO ; I T = 80A; f = 50 Hz
200
200
200
A/μs
t q(typ)
T VJ = 125 ° C V D = 0.67 · V BO ; V R = 0V
150
150
150
μs
dv/dt (lin.) = 200V/μs; I T = 80A; di/dt = -10A/μs
IXYS reserve at these the right to change limits, test conditions and dimensions; Data according to IEC 60747
H-4
? 2000 IXYS All rights reserved
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PDF描述 |
|---|---|
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| IXBOD1-21R | IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXBOD1-23D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|2.35KV V(BO) MAX|15MA I(S) |
| IXBOD1-23R | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 2300V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-23RD | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 2300V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-24D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|2.45KV V(BO) MAX|15MA I(S) |
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