参数资料
型号: IXBOD1-30RD
厂商: IXYS
文件页数: 1/8页
文件大小: 0K
描述: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3000V
标准包装: 20
电压 - 箝位: 3000V(3kV)
技术: 混合技术
电路数: 3
应用: 高电压
封装/外壳: 径向
供应商设备封装: 轴向
包装: 散装

Breakover Diodes
Applications
I H
I BO
i
V
l
l
l
l
l
Transient voltage protection
High-voltage switches
Crowbar
Lasers
Pulse generators
V H
V BO
Application Note H - 6
Remark: For special selection of more than 2 pieces IXBOD 1-... for every
break down voltage of V BO > 2000 V please contact us.
? 2000 IXYS All rights reserved
H-1
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PDF描述
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IXBOD1-28RD IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
相关代理商/技术参数
参数描述
IXBOD1-32D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|3.3KV V(BO) MAX|15MA I(S)
IXBOD1-32R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 3200V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-32RD 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 3200V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-34R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 3400V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-36R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 3600V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA