参数资料
型号: IXBOD1-36R
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V
标准包装: 20
电压 - 箝位: 3600V(3.6kV)
技术: 混合技术
电路数: 4
应用: 高电压
封装/外壳: 径向
供应商设备封装: 轴向
包装: 散装
H-8
? 2000 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXBOD1-38R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 3800V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-40R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 4000V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-42R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 4200V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD2-50R 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes
IXBP5N160G 功能描述:IGBT 晶体管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube