参数资料
型号: IXBOD1-38R
厂商: IXYS
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描述: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V
标准包装: 20
电压 - 箝位: 3800V(3.8kV)
技术: 混合技术
电路数: 4
应用: 高电压
封装/外壳: 径向
供应商设备封装: 轴向
包装: 散装
IXBOD 1 -12R...42R(D)
A
K
K
A
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Fig. 5 Energy per pulse for single BOD element
for trapezoidal wave current. E P must be multiplied
by number of elements for total energy.
Fig. 6 Energy per pulse for single BOD element
for exponentially decaying current pulse. E P must
be multiplied by number of elements for total
energy.
n = number of BOD-Elements in series
[V]
V T
Fig. 7 On-state voltage at T VJ = 125°C.
? 2000 IXYS All rights reserved
i T
[A]
[K/W]
Z thJA
Fig. 8 Transient thermal resistance.
V a = 0 m/s
V a = 2 m/s
t [s]
H-5
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PDF描述
IXBOD1-36R IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V
AD8034ARTZ-REEL IC OPAMP VF R-R DUAL LN SOT23-8
EL8200IY-T7 IC OP AMP 200MHZ R-R 10-MSOP
PPPC402LJBN-RC CONN FEM 80POS DL .1" R/A GOLD
0702871116 CONN HEADER BKWY DL GOLD 40POS
相关代理商/技术参数
参数描述
IXBOD1-40R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 4000V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-42R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 4200V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD2-50R 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes
IXBP5N160G 功能描述:IGBT 晶体管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXBR42N170 功能描述:MOSFET 57Amps 1700V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube