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参数资料
| 型号： | IXDD408CI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-220 |
| 产品变化通告： | Discontinuation Notice 15/Jun/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 38ns |
| 电流 - 峰： | 8A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-5 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVDD408-ND - EVALUATION BOARD FOR IXDD408 DVR |
IXDD408PI/408SI//408YI/408CI
Absolute Maximum Ratings (Note 1)
Operating Ratings
Parameter
Supply Voltage
All Other Pins
Power Dissipation, T AMBIENT ≤ 25 oC
8 Pin PDIP (PI)
8 Pin SOIC (SI)
TO220 (CI), TO263 (YI)
Value
25 V
-0.3 V to VCC + 0.3 V
975mW
1055mW
17W
Parameter
Maximum Junction Temperature
Operating Temperature Range
Thermal Impedance (Junction To Case)
TO220 (CI), TO263 (YI) ( θ JC )
Value
150 oC
-40 oC to 85 oC
0.95 oC/W
Derating Factors (to Ambient)
8 Pin PDIP (PI)
8 Pin SOIC (SI)
TO220 (CI), TO263 (YI)
Storage Temperature
Lead Temperature (10 sec)
7.6mW/oC
8.2mW/oC
0.14W/oC
-65 oC to 150 oC
300 oC
Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, T A = 25 o C, 4.5V ≤ V CC ≤ 25V .
All voltage measurements with respect to GND. IXDD408 configured as described in Test Conditions .
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
V IH
V IL
High input voltage
Low input voltage
3.5
0.8
V
V
V IN
Input voltage range
-5
V CC + 0.3
V
I IN
Input current
0V ≤ V IN ≤ V CC
-10
10
μ A
V OH
V OL
High output voltage
Low output voltage
V CC - 0.025
0.025
V
V
R OH
Output resistance
I OUT = 10mA, V CC = 18V
0.8
1.5
?
@ Output high
R OL
Output resistance
I OUT = 10mA, V CC = 18V
0.8
1.5
?
@ Output Low
I PEAK
I DC
Peak output current
Continuous output
V CC is 18V
Limited by package power
8
2
A
A
current
dissipation
V EN
Enable voltage range
- .3
Vcc + 0.3
V
V ENH
V ENL
High En Input Voltage
Low En Input Voltage
2/3 Vcc
1/3 Vcc
V
V
t R
t F
t ONDLY
Rise time
Fall time
On-time propagation
C L =2500pF Vcc=18V
C L =2500pF Vcc=18V
C L =2500pF Vcc=18V
12
13
37
14
15
38
18
19
42
ns
ns
ns
delay
t OFFDLY
Off-time propagation
C L =2500pF Vcc=18V
32
34
38
ns
delay
t ENOH
Enable to output high
Vcc=18V
52
ns
delay time
t DOLD
Disable to output low
Vcc=18V
30
ns
Disable delay time
V CC
I CC
Power supply voltage
Power supply current
V IN = 3.5V
V IN = 0V
V IN = + V CC
4.5
18
1
0
25
3
10
10
V
mA
μ A
μ A
Specifications Subject To Change Without Notice
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXDD409PI | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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